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IXFB30N120P
30
25
Fig. 7. Input Admittance
35
30
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
20
T J = 125oC
25oC
- 40oC
25
20
25oC
125oC
15
15
10
10
5
0
5
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
5
10
15
20
25
30
90
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
80
70
14
12
V DS = 600V
I D = 15A
I G = 10mA
60
10
50
8
40
30
T J = 125oC
6
20
10
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS (on) Limit
100μs
10,000
Ciss
10
1,000
Coss
1ms
1
10ms
100
10
Crss
0.1
T J = 150oC
Tc = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
10,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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